Questões de Transistor de potência (Engenharia Eletrônica)

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Para o circuito da figura, todos os componentes são de potência nominal ideal. O transistor Q1 tem β = 200. O valor conhecido de VBE = 0,8V.

Analisando o circuito, é correto afirmar que a queda de tensão em:

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  • A R3 é de 32V.
  • B R2 é 2V.
  • C R1 é 40V.
  • D VCE é de 5,8V.
  • E R1 é 12V.

O invólucro do transistor de potência mostrado na Figura 6 abaixo possui diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm. Uma corrente de ar que resfria o transistor está a 20°C e sob condições em que mantém um coeficiente de convecção médio de h=90 W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo que a temperatura superficial do transistor não deve exceder 80°C, assinale a alternativa que indica a máxima potência admissível para as condições descritas.
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  • A 0,42 W.
  • B 1,35 W.
  • C 1,78 W.
  • D 2,95 W.
  • E 3,05 W.
Numere a coluna da direita, relacionando os dispositivos semicondutores de potência com as respectivas características indicadas na coluna da esquerda. 1. Dispositivo de três terminais que apresenta entrada em condução controlada por gatilho e bloqueio não controlado. 2. Tiristor bidirecional. 3. Transistor de potência que conjuga vantagens dos transistores de junção e de efeito de campo. 4. Tiristor com bloqueio controlado por gatilho. ( ) TRIAC. ( ) SCR. ( ) GTO. ( ) IGBT. Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta na coluna da direita, de cima para baixo.
  • A 2 – 1 – 4 – 3.
  • B 1 – 4 – 2 – 3.
  • C 1 – 2 – 3 – 4.
  • D 2 – 1 – 3 – 4.
  • E 3 – 2 – 4 – 1.

A figura abaixo mostra o bloco funcional de um inversor de 6 pulsos.

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A base de funcionamento deste inversor fundamenta-se no chaveamento do


  • A IGBT.
  • B SCR.
  • C TRIAC.
  • D DIAC.
  • E LASCR.